.

.

نمونه سیم پیچ های مختلف

.

تعیین «اشباع هسته» و «اُفت اندوکتانس بر اثر بارگذاری جریان مستقیم» در خودالقاها – روش اول

می دانیم که خودالقایی یا اندوکتانس سیم پیچ ها بر اثر عبور جریان از آنها کاهش می پذیرد و با رسیدن هسته به حالت «اشباع»، مقدار آن به کمینه ی مقدار خود خواهد رسید.

در مدار زیر هسته ی سیم پیچ مورد آزمایش (سیم پیچ سمت راست) را به کمک یک پیچش دوم (پیچش سمت چپ) مغناتیسی می کنیم. برای این منظور، در سیم پیچ دوم (با تعداد دور n2) جریان مستقیم برقرار می سازیم.

.

1-مداربندی برای سنجش  اشباع هسته و افت اندوکتانس سیم پیچ ها

.

از این پدیده می توان نتیجه گرفت که می توان مقدار خودالقایی یا اندوکتانس هر سیم پیچی را (و از جمله آنهایی را که در مدارهای تشدید قرار می گیرند) زیر مقادیر مختلف جریان مستقیم تعیین کرد، زیرا مقدار خودالقاییِ اندازه گیری شده، با حاصلضرب جریان مستقیم گذرنده از یک سیم پیچ و تعداد دورهای n2 در آن متناظر خواهد بود.

بنابراین می توان گفت: مقدار خودالقاییِ هر سیم پیچی با دو برابر کردن جریان و نصف کردن تعداد دور آن ثابت باقی می ماند.

.

یک مثال

می خواهیم مقدار خودالقایی یک سیم پیچ شامل 20 دور پیچش را در شرایطی که جریان DC برابر با 10 آمپر از آن عبور کند، تعیین کنیم. چون منبعی که 10 آمپر جریان تولید کند در دسترس نداریم، تعداد 100 دورسیم به عنوان سیم پیچ دوم روی هسته می پیچیم و آن را با جریان 2 آمپر تغذیه می کنیم (2 آمپر × 100 دور = 10 آمپر × 20 دور). خودالقایی ای که اندازه گیری می شود، برای یک سیم پیچ 20 دوری که 10 آمپر از آن عبور کند هم معتبر است.

با استفاده از این راه و روش می توانیم «اُفت خودالقایی» سیم پیچ و از طریق آن «اشباع هسته» را تعیین کنیم.

.

تـ.وجـه داشته باشید که:

  • در مدارهای تشدید، نفسِ پیچیدن یک سیم پیچ دیگر باعث تغییر فرکانس تشدید خواهد شد، زیرا بین سیم پیچ اصلی و سیم پیچ دوم، که روی آن پیچیده می شود، یک اثر خازنی به وجود می آید. بنابراین، پس از این مرحله باید فرکانس تشدید دوباره تعیین گردد.
  • منابع تامین جریان مقاومت داخلی اندکی دارند و با وصل کردن سیم پیچ دوم به یک منبع تغذیه، عملاً  و از چشم مدار، مانند این است که سیم پیچ را اتصال کوتاه کرده باشیم. این امر سبب بارگذاری شدید مدار تشدید و میرایی سیگنال خواهد شد. قرار دادن سیم پیچ هایی با خودالقایی بالا (که همزمان توانایی تحمل جریان های بالا را داشته باشند) در مسیر ورود جریان به سیم پیچ دوم، می تواند این مشکل را برطرف کنند.
  • البته روشن است که این روش اندازه گیری روش ایده آلی نیست، اما وقتی دستگاه های گران قیمت اندازه گیری در دسترس نباشند، راه حل مناسبی خواهد بود.

.

یک مثال

باید امتحان شود که از یک سیم پیچ با اندوکتانس 100 میکروهانری تا چه میزان جریان می توان گذراند، طوری که اندوکتانس آن از 50 میکروهانری کمتر نشود.

برای رسیدن به پاسخ، ابتدا با این سیم پیچ مدار بالا را می سازیم. هنوز از سیم پیچ دوم ( در تصویر سیم پیچ سمت چپ) جریانی عبور نداده ایم. با به دست آمدن فرکانس تشدید تقریبی 9 کیلوهرتز و در فرمول هایی که در بخش های پیشین این سری مقاله داده شدند، مقدار خودالقایی را اندازه گیری می کنیم. این مقدار برابر 100 میکروهانری به دست می آید.

حالا، فرکانس تشدید این مدار را برای اندوکسیونی برابر با 50 میکروهانری امتحان می کنیم. بنا بر فرمولی که برای همه ی ما آشناست، مقدار آن 12/4 کیلوهرتز به دست می آید:

.

رابطه-3-1

.

حالا خروجی مولد سینوسی را روی این فرکانس تنظیم می کنیم. در این حال، جریان گذرنده از سیم پیچ سمت چپ را تا نقطه ای بالا می بریم که در آن ولت متر AC ما دوباره روی یک «ماکسیمم» واقع شود. حالا سیم پیچ ما اندوکتانسی برابر 50 میکروهانری دارد. حاصلضرب تعداد دور n2 و جریان عبوری از سیم پیچ سمت چپ، نتیجه ی مورد نظر است، زیرا این حاصلضرب برای این سیم پیچ مقدار ثابتی را نشان می دهد. با تقسیم کردن این عدد بر تعداد دور سیم پیچ سمت راست، مقدار بیشینه ی جریان مجاز قابل گذر از سیم پیچ سمت راست به دست می آید که تا آن مقدار جریان، خودالقایی سیم پیچ از 50 میکروهانری کمتر نخواهد شد.

.

تعیین «اشباع هسته» و «اُفت اندوکتانس بر اثر بارگذاری جریان مستقیم» در خودالقاها – روش دوم

بر اثر بالارفتن جریان عبوری از یک سیم پیچ، خودالقایی آن کاهش می یابد. این افت خودالقایی سیم پیچ تا زمانی ادامه پیدا می کند که هسته ی سیم پیچ «اشباع» شود. در اینجا یک مقدار کمینه (مینیمم) به دست می آید که دیگر بالاتر رفتن جریان بر آن تاثیری نخواهد گذاشت. در مدارهای منبع تغذیه ی کلیدگری (سوئیچینگ) چون از سیم پیچ ها جریان های خیلی بزرگی عبور می کند، دانستن این امر اهمیت ویژه دارد که یک سیم پیچ را تا چه شدت جریانی می توان بارگذاری کرد، بدون این که هسته ی آن به حالت اشباع برسد، و سیم پیچ به یک سیم پیچ با هسته ی هوا مبدّل شود.

اگر یک ولتاژ ثابت بر سیم پیچی اِعمال شود، جریانی در آن برقرار خواهد شد که از مقدار صفر شروع شده و به طور یکنواخت بالا می رود. شیب بالا رفتن به خودالقایی سیم پیچ وابسته است: هر چه خودالقایی بزرگ تر، شیب افزایش جریان آرام تر. نظر به این که بالارفتن جریان سیم پیچ باعث افت خودالقایی آن می شود، شیب افزایش جریان سیم پیچ به مرور زمان شدیدتر خواهد شد. این پدیده را می توان به کمک یک اسیلوسکوپ (در بهترین حالت با یک اسیلوسکوپ حافظه دار) مشاهده کرد.

در این اندازه گیری به یک منبع تغذیه و یک مقاومت شنت دقیق نیاز داریم. منبع تغذیه باید دارای یک ولتاژ تثبیت شده و یک محدودکننده ی جریان باشد. رگوله بودن ولتاژ منبع، تغذیه ی یکنواخت سیم پیچ را، حتی وقتی که شیبِ افزایشِ جریان خیلی تُند باشد، تامین می کند. ضرورت وجود مدارِ محدود کننده ی جریان در این است که چند میلی ثانیه پس از شروع شیب جریانی سیم پیچ، آن را صفر کند.

منبع تغذیه باید قادر باشد که خیلی سریع نسبت به تغییرات در بار (مصرف کننده) واکنش نشان دهد. مشخصاً باید بتواند در 100 میکروثانیه تغییر در جریان به میزان 2 آمپر را تحمل کند. سرعت واکنش اکثر منبع تغذیه های معمولی در حدود 60 میلی آمپر در میلی ثانیه است که بسیار کُند بوده و برای این کار مناسب نیستند.

مقاومت شنت باید مقدار اهمی خیلی کوچکی داشته باشد تا افت ولتاژ روی دو سر آن خطای اندازه گیری زیادی ایجاد نکند. من از یک مقاومت 0/033 اهم (33 میلی اهم) استفاده می کنم اما مقادیر تا 0/27 اهم (270 میلی اهم) هم قابل قبول هستند.

.

3-2-مداربندی برای سنجش  اشباع هسته و افت اندوکتانس سیم پیچ ها

.

روی پرده ی اسکوپ حافظه دار، پس از وصل جریان، نموّ منحنی افت ولتاژ روی مقاومت شنت نقش می بندد. اگر یک اسکوپ حافظه دار دو کاناله در دسترس باشد، می توان در کانال دوم به طور همزمان ولتاژ منبع تغذیه ی 10 ولتی را نیز زیر نظر داشت تا اُفت احتمالی این ولتاژ بر اثر تغییر بار قابل تشخیص باشد.

.

یک مثال

ولتاژ روی مقاومت شنت در اولین 360 میکروثانیه پس از وصل جریان، از صفر به 70 میلی ولت می رسد. این ولتاژ در 200 میکروثانیه ی بعدی 55 میلی ولت دیگر بالا می رود و روی  125 میلی ولت قرار می گیرد. همزمان روی کانال دوم اسکوپ دیده می شود که ولتاژ تغذیه در بازه ی زمانی اول روی تقریباً 10/3 ولت واقع است، و در بازه ی دوم به مقدار متوسط 9/4 ولت کاهش پیدا می کند.

با وجود این که در بازه ی دوم ولتاژ تغذیه کاهش یافته و کمتر از ولتاژ در بازه ی اول شده است، اما شدت افت ولتاژ در بازه ی دوم شیب بیشتری داشت، و این موضوعی است که با افت خودالقایی در ارتباط می باشد.

.

جدول-3-1

.

حال، از روی این مقادیر مشخصه های پیچش قابل تعیین هستند. از جدول بالا می توان دریافت که مقدار AL با حاصلضرب تعداد دور و جریان (که آن را «بارگذاری هسته» می نامیم) کاهش می یابد. در نتیجه، می فهمیم که اگر لازم باشد از یک سیم پیچ 40 نانوهانری در مداری با جریان بالاتری استفاده کنیم، باید تعداد دور آن را مقداری بیشتر کنیم.

در جدول پایین دو نوع از یک سیم پیچ 40 نانوهانری با یک هسته ی معین مقایسه شده اند. زیر جریانی برابر 7 آمپر، تعداد دور 19 ضرورت پیدا می کند. تحت جریان 15 آمپری، اما، داشتن 25 دور لازم است تا بهم خوردگیِ مقدار AL را جبران کند. « بارگذاری هسته» های سیم پیچ های هر دو مثال ما با بارگذاری ها در جریان اندازه گیری های بازه های اول و دوم منطبق هستند.

.

جدول-3-2.

توجه کنید:

مقادیری که برای خودالقایی با روش های بالا تشریح شدند، برای یک «بازه» تعیین می شوند و نه برای یک «نقطه».

.

.

مطالب مرتبط:

سیم پیچ ها، خودالقاها، سلف ها - 1: روش تعیین مقاومت داخلی خودالقاها

سیم پیچ ها، خودالقاها، سلف ها - 2- روش تعیین «خودالقایی» یا «اندوکتانس» سیم پیچ ها

اداپتوری برای سنجش اندوکتانس خودالقاها

ساخت سنجش‌گری برای وارسی خودالقایی سیم‌پیچ‌ها

چگونه هسته های فرّیت را از محل چسباندن باز کنیم؟

.

.

www.etesalkootah.ir ||   2016-01-16 © 

2015 www.etesalkootah.ir  © All rights reserved.

تمامی حقوق برای www.etesalkootah.ir محفوظ است. بیان شفاهی بخش یا تمامی یک مطلب از www.etesalkootah.ir در رادیو،  تلویزیون و رسانه های مشابه آن با ذکر واضح "اتصال کوتاه دات آی آر" بعنوان منبع مجاز است. هر گونه  استفاده  کتبی از بخش یا تمامی هر یک از مطالب www.etesalkootah.ir در سایت های اینترنتی در صورت قرار دادن لینک مستقیم و قابل "کلیک" به آن مطلب در www.etesalkootah.ir مجاز بوده و در رسانه های چاپی نیز در صورت چاپ واضح "www.etesalkootah.ir" بعنوان منبع مجاز است.